美国新材料挑战半导体芯片硬掩膜材料易腐蚀难题
来源:中国国际科技合作网
时间:2026-06-08 16:00
资讯编号:2026T-0189
美国宾夕法尼亚州立大学研究人员开发出一种原子级厚度的二维材料铬氧氯化物(CrOCI),有望解决半导体芯片制造中长期存在的关键难题。二维金属氧卤化物材料((如铬氧氯化物))具有层状晶体结构,在等离子体环境下会形成一层保护性的惰性表面,从而抵御化学反应并保护下层材料,解决了传统硬掩膜材料(hard mask,如二氧化硅或氮化硅)在高温和高反应性气体环境下容易被腐蚀的问题。这种材料不仅更耐刻蚀,还可以先在刚性基底上制造,再转移到玻璃或塑料等材料上,为柔性电子和新型传感器的制造提供更多可能。研究成果3月10日发表于《自然·材料》(Nature Materials).
本文摘自国外相关研究报道,文章内容不代表本网站观点和立场,仅供参考。
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