资讯编号：2026T-0312

7月22日，台积电宣布将在美国亚利桑那州新建至少四座晶圆厂，投资额达1000亿美元(约合6770亿人民币)。其中两座晶圆厂将采用2纳米及以下制程，与在建的第三座N2厂并行运营。N2是台积电首个采用全环栅晶体管设计的工艺节点。该设计提高了电源效率，并为芯片工程师提供了更多的定制选项。此外，N2还使用名为金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的微型储能器件来优化芯片中的电流流动。另两座晶圆厂将生产先进封装组件。

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